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  High-Quality SiC Crystal Growth by Cooldown Rate Control at Cooling Stage 通过冷却阶段的冷却速率控制生长高质量SiC晶体
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期刊：Materials Science Forum 作者：Chae Young Lee; Su Ho Kim; Seung Jun Lee; Jong Hwi Park; Jung Woo Choi; et al 出版日期：2025-09-05 |
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