Amorphous InHfZnO/Ga 2 O 3 heterojunction by plasma-enhanced atomic layer deposition for transparent photoelectric synaptic devices with temperature-tunable mechanism analysis

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标题	Amorphous InHfZnO/Ga 2 O 3 heterojunction by plasma-enhanced atomic layer deposition for transparent photoelectric synaptic devices with temperature-tunable mechanism analysis
网址	https://opg.optica.org/viewmedia.cfm?URI=ol-51-6-1562&seq=0
DOI	10.1364/ol.589971 doi
其它	期刊：Optics Letters 作者：Jingxuan Wei; Jiong Liu; Yongjie He; Rongxu Bai; Shen Hu; Qing-Qing Sun 出版日期：2026-02-24
求助人	330 在 2026-03-12 11:13:08 发布自天津，悬赏 10 积分
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