Metal‐Insulator‐Semiconductor Structure‐Based InGaN/GaN Micro‐Light‐Emitting Devices with Superior External Quantum Efficiency

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标题	Metal‐Insulator‐Semiconductor Structure‐Based InGaN/GaN Micro‐Light‐Emitting Devices with Superior External Quantum Efficiency
网址	http://dx.doi.org/10.1002/lpor.202500791
DOI	10.1002/lpor.202500791 doi
其它	期刊：Laser & Photonics Reviews 作者：Jian Yin; Reza Chaji; Ding Li; Zhong Lin Wang; Md Soyaeb Hasan; et al 出版日期：2025-08-04
求助人	HZH 在 2026-10-16 22:42:55 发布自湖南，悬赏 10 积分
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