| 标题 |
  Design and fabrication of vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers using Mg ion implantation 相关领域
肖特基二极管
光电子学
材料科学
离子注入
二极管
肖特基势垒
制作
兴奋剂
击穿电压
退火（玻璃）
p-n结
离子
电压
工程物理
半导体
电气工程
化学
工程类
复合材料
医学
替代医学
有机化学
病理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Maciej Matys; Kazuki Kitagawa; Tetsuo Narita; Tsutomu Uesugi; Michał Boćkowski; et al 出版日期：2023-08-02 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Theprisoners
无极微光
DW
Nole
dde
Aurora
null
潇洒的惋清
cdercder
v0id
学术文献互助
aaaa
秋风
DOC_XIONG
xing_xing
云天河
aajhajkahna
arniu2008
殷勤的紫槐
初景
皖公网安备34019202002308
