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Design and fabrication of vertical GaN junction barrier Schottky rectifiers using Mg ion implantation
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网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/acec69
AI链接 iop.orgdoi.org
DOI
10.35848/1347-4065/acec69 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Maciej Matys; Kazuki Kitagawa; Tetsuo Narita; Tsutomu Uesugi; Michał Boćkowski; et al
出版日期：2023-08-02
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安安 在 2026-01-25 20:37:37 发布自陕西，悬赏 10 积分
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