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 Lattice parameters of GaN layers grown on a-plane sapphire: Effect of in-plane strain anisotropy 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：V. Darakchieva; P. P. Paskov; T. Paskova; E. Valcheva; B. Monemar; M. Heuken 出版日期：2003-01-31 |
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