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Effect of the column design and fabrication method on the reverse recovery characteristics of 1.2 kV SiC-superjunction-MOSFETs
柱设计和制作方法对1.2 kV SiC超结MOSFET反向恢复特性的影响
相关领域
材料科学 制作 MOSFET 栏（排版） 光电子学 工程物理 电子工程 电气工程 机械工程 晶体管 电压 工程类 连接（主束） 医学 病理 替代医学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108324
DOI
10.1016/j.mssp.2024.108324 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Takeshi Tawara; Kensuke Takenaka; Syunki Narita; Mitsuru Sometani; Kunihide Oozono; et al
出版日期：2024-03-16
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844NB4 在 2025-12-05 18:59:43 发布自山东，悬赏 10 积分
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