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Depth profiles of hole traps in the tail region of Al ion implantation into p-type 4H-SiC Al离子注入p型4H-SiC尾部空穴陷阱的深度分布
相关领域
离子注入
离子
材料科学
光电子学
原子物理学
化学
物理
有机化学
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| 其它 |
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:Haruki Fujii; Mitsuaki Kaneko; Tsunenobu Kimoto 出版日期:2024-11-01 |
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