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标题
In situ epitaxial surface passivation of GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown by LP-MOCVD
网址
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2006.10.193 doi
其它 期刊:Journal of Crystal Growth
作者:M.-A. di Forte Poisson; N. Sarazin; M. Magis; M. Tordjman; E. Morvan; et al
出版日期:2007
求助人
春与修罗 在 2026-01-28 17:33:44 发布自广东,悬赏 10 积分
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