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 3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kyrylo Melnyk; Arne Benjamin Renz; Qinze Cao; Peter Michael Gammon; Neophytos Lophitis; et al 出版日期：2024-08-05 |
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