| 标题 |
 3.3 kV 4H-SiC Trench Semi-Superjunction Schottky Diode With Improved ON-State Resistance 相关领域
沟槽
肖特基二极管
光电子学
碳化硅
材料科学
二极管
电气工程
工程物理
物理
工程类
纳米技术
复合材料
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kyrylo Melnyk; Arne Benjamin Renz; Qinze Cao; Peter Michael Gammon; Neophytos Lophitis; et al 出版日期：2024-08-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
无极微光
小杭76
avalanche
小青椒
xxfsx
Criminology34
虚心的小兔子
yznfly
pluto
寒江雪
GingerF
iNk
sevenhill
左耳钉
嘿嘿
Meyako
寻道图强
eric888
怡然的怜烟
小药童
殷勤的紫槐
hhhg
猪猪hero
皖公网安备34019202002308
