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 Normally-Off p-Gate Transistor Based on AlGaN/GaN Heterostructures 基于AlGaN/GaN异质结构的p栅常闭晶体管
相关领域
异质结
光电子学
晶体管
材料科学
物理
电压
量子力学
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| 其它 |
期刊：Semiconductors 作者：В. И. Егоркин; В. А. Беспалов; А. А. Зайцев; V. E. Zemlyakov; В. В. Капаев; et al 出版日期：2021-12-01 |
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