| 标题 |
 Comprehensive growth and characterization study on highly n-doped InGaAs as a contact layer for quantum cascade laser applications 量子级联激光器接触层高n掺杂InGaAs的生长与表征
相关领域
材料科学
兴奋剂
光电子学
基质（水族馆）
金属有机气相外延
掺杂剂
外延
激光器
图层（电子）
电子迁移率
表征（材料科学）
级联
纳米技术
化学
光学
地质学
物理
海洋学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：İlkay Demir; İsmail Altuntaş; Barış Bulut; M. Ezzedini; Y. Ergün; et al 出版日期：2018-03-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
小花排草
不想干活
飲啖茶食個包
曾天祥
HZQ
Serendipity
积极从蕾
畅快的紫烟
打卡下班
范星月
核桃
xzy998
eric888
昏睡的蟠桃
开朗穆
风清扬
pluto
iNk
Wind
微笑绿旋
皖公网安备34019202002308
