| 标题 |
Expanded InSe Crystal Structure with Reduced Intrinsic Defects for High‐Performance Field‐Effect Transistors 相关领域
材料科学
凝聚态物理
晶体结构
光电子学
费米能级
电子迁移率
电子
密度泛函理论
散射
透射电子显微镜
格子(音乐)
场效应晶体管
有效质量(弹簧-质量系统)
晶体管
Crystal(编程语言)
电子结构
空间电荷
磁滞
电子能带结构
单晶
费米能量
纳米技术
扫描透射电子显微镜
电子衍射
电子散射
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Advanced Materials 作者:Zhenhua Wang; Min Jin; Kepeng Song; Zonghao Wang; Zheng Zhang; et al 出版日期:2025-10-14 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)