Mitigating self-turn-on failures in scaled carrier stored trench IGBT: a focus on poly-Si resistivity

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标题	Mitigating self-turn-on failures in scaled carrier stored trench IGBT: a focus on poly-Si resistivity 相关领域绝缘栅双极晶体管沟槽转身（生物化学）材料科学晶体管电气工程电容电阻率和电导率光电子学逻辑门栅极电压电压电子工程工程类纳米技术物理电极核磁共振量子力学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad94fb
DOI	10.35848/1347-4065/ad94fb doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Srikanth Gollapudi; Ichiro Omura 出版日期：2024-11-21
求助人	文理小当家在 2026-03-23 16:05:38 发布自安徽，悬赏 10 积分
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