Development of a 65V low Ron,sp N-type LDMOS on 180 nm BCD platform

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标题	Development of a 65V low Ron,sp N-type LDMOS on 180 nm BCD platform
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2025.106778
DOI	10.1016/j.mejo.2025.106778 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Qi Ding; Ning Ning; Jun Huang; Renxiong Li; Yu Wang; et al 出版日期：2025-10-01
求助人	英俊青枫在 2026-08-26 17:06:48 发布自浙江，悬赏 10 积分
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