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 Effects of a GaN cap layer on admittance characteristics of AlGaN/GaN MIS structures GaN覆盖层对AlGaN/GaN MIS结构导纳特性的影响
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Kenya Nishiguchi; Ken Nakata; Norihiko Nishiguchi; Tamotsu Hashizume 出版日期：2023-08-03 |
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