Review of Material Properties of Oxide Semiconductor Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition for Next-Generation 3D Dynamic Random-Access Memory Devices

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标题	Review of Material Properties of Oxide Semiconductor Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition for Next-Generation 3D Dynamic Random-Access Memory Devices 用于下一代三维动态随机存储器件的原子层沉积氧化物半导体薄膜材料性能研究进展相关领域原子层沉积材料科学图层（电子）沉积（地质）半导体薄膜氧化物动态随机存取存储器光电子学纳米技术计算机科学半导体存储器冶金计算机硬件古生物学沉积物生物
网址	https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.3c02223
DOI	10.1021/acs.chemmater.3c02223 doi
其它	期刊：Chemistry of Materials 作者：Ae Rim Choi; Dong Hyun Lim; So‐Yeon Shin; Hye Joo Kang; Dohee Kim; et al 出版日期：2024-02-26
求助人	科研小菜鸡在 2025-05-29 09:37:02 发布自江苏，悬赏 10 积分
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