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 Enhancement of long-term memory of IGZO synaptic transistors by the introduction of an Al2O3 charge trapping layer 通过引入Al2O3电荷捕获层增强IGZO突触晶体管的长期存储
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yuhui Wang; Guangtan Miao; Zezhong Yin; Ranran Ci; Guoxia Liu; et al 出版日期：2025-07-07 |
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