Effect of GaN cap layer towards ohmic contact of open-gate Cr AlGaN/GaN high electron mobility transistor

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标题	[高分] Effect of GaN cap layer towards ohmic contact of open-gate Cr AlGaN/GaN high electron mobility transistor GaN覆盖层对开栅Cr AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管欧姆接触的影响相关领域欧姆接触光电子学材料科学晶体管图层（电子）感应高电子迁移率晶体管宽禁带半导体高电子迁移率晶体管纳米技术电气工程电压工程类
网址	https://doi.org/10.1504/ijnt.2024.141755
DOI	10.1504/ijnt.2024.141755 doi
其它	期刊：International Journal of Nanotechnology 作者：Najihah Fauzi; Amirul Firdaus; Shaili Falina; Sabah M. Mohammad; Masafumi Inaba; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	Wuwuwu_ 在 2025-12-04 10:30:04 发布自北京，悬赏 200 积分
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