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标题
Study of Strained-SiGe Channel P-MOSFET Using Silvaco TCAD: Impact of Channel Thickness
用Silvaco TCAD研究应变SiGe沟道P-MOSFET:沟道厚度的影响
相关领域
MOSFET 材料科学 光电子学 阈值电压 异质结 电子迁移率 短通道效应 电气工程 电压 晶体管 工程类
网址
DOI
10.4028/p-3a337l doi
其它 期刊:Key Engineering Materials
作者:Siti NorFarah Nadia Mohd Salleh; Alhan Farhanah Abd Rahim; Nurul Syuhadah Mohd Razali; Rosfariza Radzali; Ainorkhilah Mahmood; et al
出版日期:2023-05-31
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Yuksn 在 2025-11-24 14:36:56 发布自福建,悬赏 30 积分
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