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Study of Strained-SiGe Channel P-MOSFET Using Silvaco TCAD: Impact of Channel Thickness 用Silvaco TCAD研究应变SiGe沟道P-MOSFET:沟道厚度的影响
相关领域
MOSFET
材料科学
光电子学
阈值电压
异质结
电子迁移率
短通道效应
电气工程
电压
晶体管
工程类
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期刊:Key Engineering Materials 作者:Siti NorFarah Nadia Mohd Salleh; Alhan Farhanah Abd Rahim; Nurul Syuhadah Mohd Razali; Rosfariza Radzali; Ainorkhilah Mahmood; et al 出版日期:2023-05-31 |
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