| 标题 |
 Impact of gamma-ray irradiation on capacitance–voltage characteristics of Al2O3/GaN MOS diodes with and without post-metallization annealing 相关领域
辐照
退火（玻璃）
材料科学
电容
二极管
分析化学（期刊）
氧化物
光电子学
半导体
化学
电极
冶金
物理
色谱法
物理化学
核物理学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Express 作者：Keito Aoshima; Masahiro Horita; Jun Suda; Tamotsu Hashizume 出版日期：2020-12-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
DW
null
殷勤的紫槐
152455
aaaa
花开富贵
mmmm
aajhajkahna
秋风
v0id
Criminology34
雨落千年
LYSM
04d
极限001
乐空思
invisight
xing_xing
茶叶渣显示今天有雨
皖公网安备34019202002308
