Investigation of origin of polycrystalline defect in homoepitaxial (01¯1¯) β -Ga2O3 layers grown by halide vapor phase epitaxy using synchrotron x-ray topography and energy-dispersive x-ray spectroscopy

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标题	Investigation of origin of polycrystalline defect in homoepitaxial (01¯1¯) β -Ga2O3 layers grown by halide vapor phase epitaxy using synchrotron x-ray topography and energy-dispersive x-ray spectroscopy
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.03352...
DOI	10.1063/5.0335272 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Sayleap Sdoeung; Kohei Sasaki; Chia-Hung Lin; Yoshihiro Yamashita; Yuki Ueda; et al 出版日期：2026-06-15
求助人	清爽的梦菡在 2026-08-19 13:38:28 发布自浙江，悬赏 10 积分
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