Variable Fluoride Ion Implantation Compound Termination in β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With Stress Test

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标题	Variable Fluoride Ion Implantation Compound Termination in β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode With Stress Test
网址	http://dx.doi.org/10.1109/TED.2025.3614520
DOI	10.1109/TED.2025.3614520 doi
求助人	苹果高跟鞋在 2026-10-10 16:57:43 发布自山西，悬赏 10 积分
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