Shifted gate electrode of silicon on insulator metal semiconductor FETs to amend the breakdown and transconductance

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标题	Shifted gate electrode of silicon on insulator metal semiconductor FETs to amend the breakdown and transconductance 用于修正击穿和跨导的绝缘体金属半导体场效应晶体管上硅的移位栅电极相关领域跨导材料科学光电子学截止频率绝缘体上的硅击穿电压电气工程数码产品振荡（细胞信号）电极电压半导体硅晶体管工程类物理化学量子力学生物化学
网址	https://doi.org/10.1140/epjp/s13360-021-01661-z
DOI	10.1140/epjp/s13360-021-01661-z doi
其它	期刊：The European Physical Journal Plus 作者：Ali Naderi; Hamed Mohammadi 出版日期：2021-06-01
求助人	研友_89N9JL 在 2025-08-30 20:48:55 发布自贵州，悬赏 10 积分
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