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Contact Cavity Shaping and Selective SiGe:B Low-Temperature Epitaxy Process Solution for sub 10-9 Ω.cm2 Contact Resistivity in Nonplanar FETs |
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期刊:2023 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者:N. Breil; B-C. Lee; J. Avila Avendano; J. Jewell; M. Vellaikal; et al 出版日期:2023-06-11 |
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