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Investigation into Side Contact Behavior and Transfer Length of Monolayer MoS 2 FETs |
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期刊:2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者:Daniel Eppler; Hao-Yu Lan; Zhihong Chen; Joerg Appenzeller 出版日期:2026-01-31 |
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(2025-6-4)