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标题
Compact modeling of the effects of parasitic internal fringe capacitance on the threshold voltage of high-k gate-dielectric nanoscale SOI MOSFETs
寄生内条纹电容对高k栅介质纳米SOI MOSFET阈值电压影响的紧凑模拟
相关领域
材料科学 电容 栅极电介质 阈值电压 电介质 介电常数 绝缘体上的硅 寄生电容 栅氧化层 光电子学 高-κ电介质 电压 电极 电气工程 硅 物理 晶体管 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2006.870424
AI链接 arxiv.org arxiv.orgdoi.org
DOI
10.1109/ted.2006.870424 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：M. Jagadesh Kumar; Santosh Kumar Gupta; Vivek Venkataraman
出版日期：2006-04-01
求助人
evens 在 2025-12-23 14:15:05 发布自湖南，悬赏 10 积分
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