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标题
SiC power MOSFET overload detection, short-circuit protection and gate-oxide integrity monitoring using a switched resistors dual-channel gate-driver
使用开关电阻双通道栅极驱动器的SiC功率MOSFET过载检测、短路保护和栅极氧化物完整性监测
相关领域
电阻器 栅氧化层 门驱动器 电气工程 MOSFET 电子工程 CMOS芯片 逻辑门 功率（物理） 断层（地质） 工程类 电压 材料科学 晶体管 地质学 物理 地震学 量子力学
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115082
AI链接 hal.science hal.sciencedoi.org
DOI
10.1016/j.microrel.2023.115082 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Mathis Picot-Digoix; Frédéric Richardeau; Wadia Jouha; Jean‐Marc Blaquière; S. Vinnac; et al
出版日期：2023-10-01
求助人
听雨 在 2025-12-04 16:00:36 发布自北京，悬赏 10 积分
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