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 Degradation Under Low Drain Bias Induced by Heavy Ion in SiC MOSFETs 重离子诱导SiC MOSFET低漏极偏压下的退化
相关领域
降级（电信）
材料科学
MOSFET
重离子
离子
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量子力学
冶金
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期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science 作者：Leshan Qiu; Yun Bai; Zewei Dong; Jieqin Ding; Jilong Hao; et al 出版日期：2024-10-16 |
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