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标题
2-Mercaptobutanedioic-Acid-Modified AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor With Folded Gate for Fe3+ Detection
用于Fe3+检测的2-巯基丁二酸修饰的折叠栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 晶体管 外延 衍射 电子迁移率 分析化学（期刊） 宽禁带半导体 电子衍射 化学 纳米技术 电气工程 光学 物理 电压 图层（电子） 工程类 色谱法
网址
https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/6423298/10253674.p...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/jeds.2023.3316355 doi
其它 期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society
作者：Yan Gu; Xuecheng Jiang; Naiyan Lu; Jiarui Guo; Yushen Liu; et al
出版日期：2023-01-01
求助人
布知道 在 2025-12-05 18:07:23 发布自江苏，悬赏 10 积分
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