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Characterization of double Shockley-type stacking faults formed in lightly doped 4H-SiC epitaxial films |
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期刊:Journal of Crystal Growth 作者:T. Yamashita; S. Hayashi; T. Naijo; K. Momose; H. Osawa; et al 出版日期:2018-03-09 |
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(2025-6-4)