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  Vertical β-Ga2O3 metal–insulator–semiconductor diodes with an ultrathin boron nitride interlayer 相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Mingfei Xu; Abhijit Biswas; Tao Li; Ziyi He; Shisong Luo; et al 出版日期：2023-12-04 |
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