Effect of Si precursors on micro-loading, morphology and throughput of selective epitaxial growth of si and Si<inf>1&#x2212;x</inf>Ge<inf>x</inf>

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标题	Effect of Si precursors on micro-loading, morphology and throughput of selective epitaxial growth of si and Si<inf>1&#x2212;x</inf>Ge<inf>x</inf>
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7137399/7153317/07153415...
DOI	10.1109/cstic.2015.7153415 doi
其它	期刊：2015 China Semiconductor Technology International Conference 作者：Churamani Gaire; Bharat Krishnan; Jinping Liu 出版日期：2015-07-14
求助人	bin 在 2026-06-01 15:39:38 发布自安徽，悬赏 10 积分
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