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 Schottky barriers, emission regimes and contact resistances in 2H-1T’ MoS2 lateral metal-semiconductor junctions from first-principles 从第一性原理看2H-1T′MoS2金属——半导体侧向结中的肖特基势垒、发射机制和接触电阻
相关领域
材料科学
热离子发射
凝聚态物理
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光电子学
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场效应晶体管
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期刊：2D materials 作者：M. Laura Urquiza; Xavier Cartoixà 出版日期：2020-09-22 |
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