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Passivation of Interface Defects in GaN-Based Metal–Insulator-Semiconductor Devices via In Situ Combined Plasma Pretreatments
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DOI
10.1021/acsami.5c00320 doi
其它 期刊:ACS Applied Materials & Interfaces
作者:Xiaohong Zeng; Ying Wu; Jinteng Zhang; Shicheng Han; Shicheng Yang; et al
出版日期:2025-05-15
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1254 在 2026-10-27 16:01:09 发布自广东,悬赏 10 积分
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