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 InAlGaN-based HEMT with very low Ohmic contact resistance regrown at 850 °C by MOVPE 通过MOVPE在850℃下再生具有极低欧姆接触电阻的InAlGaN基HEMT
相关领域
欧姆接触
高电子迁移率晶体管
材料科学
接触电阻
金属有机气相外延
光电子学
兴奋剂
晶体管
薄脆饼
外延
电压
电气工程
纳米技术
工程类
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Charles Pitaval; Sébastien Aroulanda; Yassine Fouzi; Nicolas Defrance; C. Lacam; et al 出版日期：2024-07-01 |
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