| 标题 |
 Adsorption behavior of gas molecules on B doped monolayer MoS 2 相关领域
单层
吸附
分子
材料科学
兴奋剂
工作职能
电子密度
化学物理
结合能
分析化学（期刊）
电子
密度泛函理论
电荷密度
工作（物理）
有毒气体
物理化学
电子亲和性（数据页）
纳米技术
电荷（物理）
探测器
费米气体
六氟化硫
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Physica Scripta 作者：Yang Du; Haoshan Gao; Ping Wang; B. Ge; Yafei Zhao 出版日期：2025-12-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
张宝i是1
Lv1 求助人 关闭了本次求助。
说明 在电子结构调控方面，Mohammed等[34]研究了硼、碳（C）、氮杂质原子掺杂对双层WS₂和MoS₂的影响。结果显示，本征双层WS₂和MoS₂为间接带隙半导体，带隙分别为1.37 eV和1.26 eV。在层间引入硼和氮杂质后，两者均转变为零带隙半金属；而碳掺杂表现出元素特异性，使双层WS₂转变为带隙约为0.1 eV的直接带隙半导体，但使双层MoS₂转变为半金属。这表明，非金属掺杂可有效调控MoS₂的导电特性，为其在光电器件领域的应用提供了新思路。
在CO₂捕获与选择性吸附方面，Enujekwu等首次系统研究了氮掺杂与空位缺陷的协同效应对MoS₂吸附CO₂的影响。本征MoS₂对CO₂吸附极弱。单硫空位可诱导CO₂发生解离化学吸附，生成CO；而钼空位结合三氮掺杂体系则表现出增强的物理吸附，吸附能达-1.818 eV，约本征体系的13倍。该体系对CO₂/N₂的选择性吸附比为5.1，并具有一定的抗水干扰能力。该研究为通过缺陷工程和氮掺杂协同调控MoS₂的CO₂捕获性能提供了理论依据。【积分已退回】
张宝i是1
Lv1 求助人 发起了本次求助
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
Kao
cdercder
Criminology34
Nole
Copyright
伶俐妙海
yjh123
学术文献互助
OK
sagitar
蓝天
Twonej
GingerF
斯文钢笔
初景
aaaa
avalanche
老胡
潇洒的惋清
皖公网安备34019202002308
