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 Vertically Stacked Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors with Reduced Vertical Nanowires Separation, New Work Function Metal Gate Solutions, and DC/AC Performance Optimization |
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期刊：2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：R. Ritzenthaler; H. Mertens; V. Pena; G. Santoro; A. Chasin; et al 出版日期：2018 |
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