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Electrical characterization of two deep electron traps introduced in epitaxially grown n-GaN during He-ion irradiation |
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期刊:Applied Physics Letters 作者:F. D. Auret; S. A. Goodman; F. K. Koschnick; J-M. Spaeth; B. Beaumont; et al 出版日期:1998-12-21 |
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(2025-6-4)