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 Low On-State Voltage and EMI Noise 4H-SiC IGBT With Self-Biased Split-Gate pMOS 具有自偏置分裂栅pMOS的低导通电压和EMI噪声4H-SiC IGBT
相关领域
PMOS逻辑
绝缘栅双极晶体管
符号
电气工程
离散数学
数学
晶体管
电压
算术
工程类
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Lijuan Wu; Mengjiao Liu; Mengyuan Zhang; Jiahui Liang; Gang Yang; et al 出版日期：2022-12-30 |
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