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  Over 6 μm thick MOCVD-grown low-background carrier density (1015 cm−3) high-mobility (010) β-Ga2O3 drift layers 超过6 μ m厚的MOCVD生长的低背景载流子密度（1015cm−3）高迁移率（010）β-Ga2O3漂移层
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化学
图层（电子）
纳米技术
色谱法
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