| 标题 |
 Mechanically Gated Vertical Ion Channels for Fast Strain‐Sensitive Neuromorphic Memristor 相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
材料科学
纳米尺度
电阻随机存取存储器
光电子学
纳米技术
人工神经网络
导电体
电子能量损失谱
电导
晶体管
透射电子显微镜
传输（电信）
导电原子力显微镜
电子工程
能量（信号处理）
工作（物理）
计算机科学
显微镜
离子
频道（广播）
光谱学
硅烯
德拉姆
电子
人工智能
垂直位移
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Y Zhang; Yanghe Wang; Yangchun Tan; Jiaqi Yan; Wenjie Ming; et al 出版日期：2026-04-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
null
无极微光
啦啦
v0id
小年糕
kaio_escolar
DW
invisight
庄园在逃害人精
AireenBeryl531
极限001
xing_xing
电池狗做实验
乐空思
初景
Elsevier大王
秦艽
贪玩的秋柔
牧青
地球合适爆炸
皖公网安备34019202002308
