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 On-state performance enhancement of AlGaN/GaN Fin-HEMTs by using arcuate sidewalls 利用弧形侧墙提高TGA/GaNFin-HEMTs的通态性能
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yilin Chen; Qing Zhu; Meng Zhang; Min-Han Mi; Jiejie Zhu; et al 出版日期：2024-08-05 |
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