Study on the electrical degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs induced by residual stress of SiN x passivation

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标题	Study on the electrical degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs induced by residual stress of SiN x passivation
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.03.013
DOI	10.1016/j.sse.2017.03.013 doi
其它	期刊：Solid-state Electronics 作者：Zhiyuan Bai; Jiangfeng Du; Yong Liu; Xin Qi; Yang Liu; et al 出版日期：2017-03-31
求助人	829302yft 在 2026-09-09 20:38:57 发布自上海，悬赏 10 积分
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