Competitive surface adsorption governs unintentional Si incorporation in MOCVD-grown β -Ga 2 O 3 (001) homoepilayers

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标题	Competitive surface adsorption governs unintentional Si incorporation in MOCVD-grown β -Ga 2 O 3 (001) homoepilayers
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ae1e08
DOI	10.1088/1361-6463/ae1e08 doi
其它	期刊：Journal of Physics D 作者：Chong-De Zhang; Jiahao Yao; Xiang Gao; Zhaoxuan Fang; Mei Cui; et al 出版日期：2025-11-11
求助人	Zhoey 在 2026-09-15 22:05:05 发布自浙江，悬赏 10 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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