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 In Situ Observation of β-Ga2O3 Schottky Diode Failure Under Forward Biasing Condition 正向偏压条件下β-Ga2O3肖特基二极管失效的原位观察
相关领域
偏压
肖特基二极管
成核
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材料科学
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化学
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位错
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zahabul Islam; Minghan Xian; Aman Haque; F. Ren; Marko J. Tadjer; et al 出版日期：2020-06-19 |
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