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标题
MoS2 Transistors with 4 nm hBN Gate Dielectric and 0.46 V Threshold Voltage
具有4nm hBN栅极电介质和0.46 V阈值电压的MoS2晶体管
相关领域
材料科学 阈值电压 电介质 光电子学 栅极电介质 晶体管 高-κ电介质 电压 金属浇口 栅氧化层 纳米技术 电气工程 工程类
网址
https://doi.org/10.1021/acsnano.5c02341
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsnano.5c02341 doi
其它 期刊：ACS Nano
作者：Yaqing Shen; Sebastián Pazos; Wenwen Zheng; Yue Yuan; Yue Ping; et al
出版日期：2025-04-24
求助人
刘超D 在 2025-05-06 08:53:57 发布自吉林，悬赏 10 积分
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