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[求助补充材料]
 MoS2 Transistors with 4 nm hBN Gate Dielectric and 0.46 V Threshold Voltage 具有4nm hBN栅极电介质和0.46 V阈值电压的MoS2晶体管
相关领域
材料科学
阈值电压
电介质
光电子学
栅极电介质
晶体管
高-κ电介质
电压
金属浇口
栅氧化层
纳米技术
电气工程
工程类
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| 其它 |
期刊：ACS Nano 作者：Yaqing Shen; Sebastián Pazos; Wenwen Zheng; Yue Yuan; Yue Ping; et al 出版日期：2025-04-24 |
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