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High‐performance UV detector based on AlGaN/GaN junction heterostructure‐field‐effect transistor with a p‐GaN gate |
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期刊:physica status solidi c 作者:Motoaki Iwaya; Shuichi Miura; Takahiro Fujii; Satoshi Kamiyama; Hiroshi Amano; et al 出版日期:2009-05-26 |
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