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 Si‐Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N‐Polar AlGaN/AlN FETs 相关领域
材料科学
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期刊：Physica Status Solidi A-applications and Materials Science 作者：Taketo Kowaki; Wataru Matsumura; Koki Hanasaku; Ryo Okuno; Daisuke Inahara; et al 出版日期：2023-07-15 |
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