| 标题 |
 A reliability study of DRAM capacitors in chip for beyond 10 nm scaling 10nm以上DRAM片内电容的可靠性研究
相关领域
德拉姆
电容器
去耦电容器
可靠性（半导体）
电容
可扩展性
电子工程
电气工程
解耦（概率）
缩放比例
材料科学
计算机科学
电压
电介质
泄漏（经济）
工程类
功率（物理）
生产线后端
CMOS芯片
炸薯条
寄生电容
光电子学
动态随机存取存储器
|
| 网址 | |
| DOI |
暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
|
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
无极微光
DW
秋风
极限001
wangyumumu
v0id
aaaa
学术文献互助
xing_xing
潇洒的惋清
行走的荷尔蒙
aajhajkahna
OK
璐璐
科研狗
林狗
Dean
Nole
aaaKumaINmyMIND
初景
皖公网安备34019202002308
